एमआरएएम (मैग्नेटिक रैंडम एक्सेस मेमोरी) एक गैर-अस्थिर स्मृति तकनीक है जिसे 1 99 0 के दशक से विकसित किया गया है। यह तकनीक गैर-अस्थिर फ्लैश मेमोरी, क्षमता घनत्व और डीआरएएम के बिना जीवनकाल के साथ स्थिर यादृच्छिक स्मृति की उच्च गति को पढ़ने और लिखने की क्षमता के करीब है, लेकिन औसत ऊर्जा खपत डीआरएएम से काफी कम है, और मूल रूप से असीमित है। बार-बार लिखें।

इंटेल ने कहा है कि इसकी एम्बेडेड एमआरएएम तकनीक 200 डिग्री सेल्सियस पर 10 साल की मेमोरी तक पहुंच सकती है और 106 से अधिक स्विचिंग चक्रों में दृढ़ता प्राप्त करती है। और इसकी 22 एफएफएल प्रक्रिया में, इंटेल एसटीटी-एमआरएएम (एमआरएएम-आधारित स्पिन ट्रांसफर टोक़) की गैर-अस्थिर स्मृति की प्रमुख विशेषताओं का वर्णन करता है। इंटेल ने इसे "पहली फिनफेट-आधारित एमआरएएम तकनीक कहा।

यह तकनीक "तैयार करने के लिए तैयार" चरण के बराबर हो सकती है। इंटेल ने किसी भी OEM ग्राहकों को प्रक्रिया की जानकारी का खुलासा नहीं किया है, लेकिन विभिन्न स्रोतों से, इस तकनीक को वर्तमान में भेजे जा रहे उत्पादों में पहले ही अपनाया जा चुका है।

सैमसंग के लिए, यह भी दावा करता है कि इसके 8 एमबी एमआरएएम में 106 का बैटरी जीवन और 10 साल की स्मृति अवधि है। प्रारंभ में आईओटी अनुप्रयोगों में सैमसंग प्रौद्योगिकी का उपयोग किया जाएगा। सैमसंग आर एंड डी सेंटर के मुख्य अभियंता यून जोंग सांग ने कहा कि मोटर वाहन और औद्योगिक अनुप्रयोगों में इसका इस्तेमाल होने से पहले विश्वसनीयता में सुधार किया जाना चाहिए। सैमसंग ने सफलतापूर्वक प्रयोगशाला से कारखाने तक प्रौद्योगिकी को स्थानांतरित कर दिया है और निकट भविष्य में इसे व्यावसायीकरण कर देगा।

सैमसंग ने 28 एनएम एफडीएसओआई मंच पर भी घोषणा की कि एसटीटी-एमआरएएम को स्केलेबिलिटी, आकृति निर्भरता और चुंबकीय स्केलेबिलिटी के मामले में वर्तमान में सर्वश्रेष्ठ एमआरएएम तकनीक माना जाता है।

एमआरएएम क्या है?

ईईटीआईएम के मुताबिक, 1 99 0 के दशक से एमआरएएम प्रौद्योगिकी विकसित की गई है, लेकिन अभी तक व्यापक व्यावसायिक सफलता हासिल नहीं हुई है। सैमसंग आर एंड डी सेंटर के मुख्य अभियंता यून जोंग सांग ने कहा: "मुझे लगता है कि एमआरएएम के विनिर्माण और व्यावसायीकरण के परिणामों को प्रदर्शित करने का समय है!" गीत आईईडीएम में कंपनी के कागजात का मुख्य लेखक भी है।

चूंकि उद्योग छोटे प्रौद्योगिकी नोड्स की तरफ बढ़ता जा रहा है, डीआरएएम और एनएएनडी फ्लैश मेमोरी को मुश्किल माइक्रो-शॉक चुनौतियों का सामना करना पड़ता है, एमआरएएम को एक वैकल्पिक स्टैंड-अलोन घटक के रूप में देखा जाता है, जो इन मेमोरी चिप्स को प्रतिस्थापित करने की उम्मीद है। इसके अलावा, इस गैर-अस्थिर स्मृति को फ्लैश और एम्बेडेड एसआरएएम को बदलने के लिए उपयुक्त, इसके तेज पढ़ने / लिखने का समय, उच्च सहनशीलता और मजबूत प्रतिधारण के कारण एक आकर्षक एम्बेडेड तकनीक भी माना जाता है। एंबेडेड एमआरएएम को चीजों के इंटरनेट (आईओटी) उपकरणों जैसे अनुप्रयोगों के लिए विशेष रूप से उपयुक्त माना जाता है।

मुख्य कारण यह है कि यह तेजी से लिखने का समय, उच्च स्थायित्व और उत्कृष्ट प्रतिधारण पढ़ता है। एंबेडेड एमआरएएम विशेष रूप से इंटरनेट के चीजें (आईओटी) उपकरणों के साथ-साथ 5 जी पीढ़ी वाली ट्रेनों के लिए उपयुक्त माना जाता है।

एम्बेडेड एमआरएएम उपभोक्ता उत्पादों से अधिक ध्यान प्राप्त कर रहा है क्योंकि विनिर्माण लागत में गिरावट और अन्य मेमोरी प्रौद्योगिकियों में स्केलेबिलिटी चुनौतियों का सामना करना पड़ता है। महत्वपूर्ण रूप से, नई प्रक्रिया प्रौद्योगिकियों के विकास के साथ, एसआरएएम कोशिकाओं का आकार शेष प्रक्रिया के साथ घटता नहीं है। इस दृष्टिकोण से, एमआरएएम अधिक से अधिक आकर्षक बन रहा है।

पिछले साल से, ग्लोबफाउंड्रीज 22 एफडीएक्स 22-एनएम एफडी-एसओआई प्रक्रिया के साथ एम्बेडेड एमआरएएम की आपूर्ति कर रहा है। लेकिन ऑब्जेक्टिव एनालिसिस के मुख्य विश्लेषक जिम हैंडी ने कहा कि उन्होंने Globalfoundries एम्बेडेड एमआरएएम प्रौद्योगिकी का उपयोग करके किसी वाणिज्यिक उत्पाद लॉन्च को नोटिस नहीं किया है।

उन्होंने कहा: "किसी का भी उपयोग नहीं करने का कारण यह है कि उन्हें उन्हें नई सामग्री भी जोड़नी होगी।

लेकिन विनिर्माण लागत में गिरावट और अन्य मेमोरी प्रौद्योगिकियों को कम करने की चुनौती का सामना करना पड़ता है, एम्बेडेड एमआरएएम अधिक लोकप्रिय हो रहा है। हैंडी ने कहा: "महत्वपूर्ण बात यह है कि नई प्रक्रिया प्रौद्योगिकी के उन्नयन के साथ, एसआरएएम मेमोरी सेल का आकार बाद की उन्नत प्रक्रिया से कम नहीं होगा, इसलिए एमआरएएम अधिक से अधिक आकर्षक बन जाएगा।

यूएमसी एमआरएएम को भी देखता है

फाउंड्री अर्न्स्ट (2303) और अगली पीढ़ी के एसटी-एमआरएएम (स्वयं-घूर्णन-शिफ्ट चुंबकत्वी रैम) निर्माता हिमस्खलन ने घोषणा की कि दोनों कंपनियां संयुक्त रूप से विकसित और प्रतिस्थापन एम्बेडेड मेमोरी का उत्पादन करने के लिए भागीदार बन गई हैं। मैग्नेटोरिस्टिव रैंडम एक्सेस मेमोरी (एमआरएएम)। साथ ही, यूएमसी हिमस्खलन के प्राधिकरण के माध्यम से अन्य कंपनियों को प्रौद्योगिकी भी प्रदान करेगी। इस सहयोग समझौते के मुताबिक, यूएमसी 28 एनएम सीएमओएस प्रक्रियाओं पर एम्बेडेड गैर-अस्थिर एमआरएएम ब्लॉक प्रदान करता है ताकि ग्राहकों को कम-विलंबता, अल्ट्रा-उच्च-प्रदर्शन और कम-शक्ति एम्बेडेड एमआरएएम मेमोरी मॉड्यूल को एप्लिकेशन उत्पादों में एकीकृत किया जा सके। औद्योगिक और मोटर वाहन इलेक्ट्रॉनिक्स बाजारों के लिए नेटवर्किंग, पहनने योग्य, उपभोक्ता उत्पाद, और माइक्रोकंट्रोलर (एमसीयू) और सिस्टम-ऑन-ए-चिप (एसओसी)।

यूएमसी ने यह भी उल्लेख किया कि दोनों कंपनियां उन्नत प्रक्रियाओं में उपयोग के लिए सीएमओएस प्रौद्योगिकी में हिमस्खलन की संगत और स्केलेबल सुविधाओं का उपयोग करके, 28 एनएम से नीचे प्रौद्योगिकियों को संसाधित करने के लिए सहयोग के दायरे को विस्तारित करने पर विचार कर रही हैं। इन एकीकृत स्मृति (गैर-अस्थिर और स्थैतिक यादृच्छिक अभिगम स्मृति एसआरएएम) को आसानी से अगली पीढ़ी के अत्यधिक एकीकृत माइक्रोकंट्रोलर (एमसीयू) और सिस्टम-ऑन-ए-चिप (एसओसी) में स्थानांतरित किया जा सकता है। इस तरह, सिस्टम डिजाइनर बिना किसी डिज़ाइन किए बिना उसी आर्किटेक्चर और संबंधित सॉफ़्टवेयर सिस्टम को सीधे संशोधित कर सकता है।

यूएमसी एडवांस्ड टेक्नोलॉजी विभाग के डिप्टी जनरल हांग गुयू ने कहा, "एवलैंच के सीईओ और सह-संस्थापक पेट्रो एस्टखरी ने कहा:" हम बहुत खुश हैं कि टीम के पास यूएमसी जैसे विश्व स्तरीय सेमीकंडक्टर वेफर विशेषज्ञ हैं। " एम्बेडेड गैर-अस्थिर स्मृति एनवीएम समाधान आज के चिप डिजाइन उद्योग में लोकप्रियता प्राप्त कर रहे हैं, और फाउंड्री उद्योग ने उभरते उपभोक्ता और ऑटोमोटिव इलेक्ट्रॉनिक्स अनुप्रयोगों जैसे उच्च विकास वाले उद्योगों के लिए मजबूत और ठोस एम्बेडेड समाधान बनाए हैं। गैर-अस्थिर स्मृति समाधान पोर्टफोलियो। यूएमसी 28 एनएम एमआरएएम विकसित करने के लिए हिमस्खलन के साथ काम करने से प्रसन्न है, और इस सहयोग प्रक्रिया को यूएमसी ग्राहकों के बड़े पैमाने पर उत्पादन चरण में धकेलने की उम्मीद कर रहा है।